IXYS - IXTR170P10P

KEY Part #: K6397831

IXTR170P10P Цэнаўтварэнне (USD) [5496шт шт]

  • 1 pcs$9.06215
  • 10 pcs$8.23701
  • 100 pcs$6.65995

Частка нумар:
IXTR170P10P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTR170P10P. IXTR170P10P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTR170P10P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTR170P10P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
Серыя : PolarP™
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 108A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 12600pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 312W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOPLUS247™
Пакет / футляр : ISOPLUS247™

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.

  • TK32A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 32A TO-220.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.