Частка нумар :
SSM3J120TU,LF
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
4A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 3A, 4V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
22.3nC @ 4V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1484pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
500mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
UFM
Пакет / футляр :
3-SMD, Flat Leads