Vishay Semiconductor Diodes Division - UF5406-E3/54

KEY Part #: K6448417

UF5406-E3/54 Цэнаўтварэнне (USD) [392353шт шт]

  • 1 pcs$0.10472
  • 1,400 pcs$0.10420
  • 2,800 pcs$0.09501
  • 7,000 pcs$0.08888
  • 9,800 pcs$0.08275

Частка нумар:
UF5406-E3/54
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD. Rectifiers Vr/600V Io/3A
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division UF5406-E3/54. UF5406-E3/54 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF5406-E3/54 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : UF5406-E3/54
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.7V @ 3A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 75ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : 36pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-201AD, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-201AD
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DGS17-03CS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 300V 29A TO252AA.

  • MMBD914_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • MMBD1401_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

  • GL41T-E3/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB.

  • VFT2045BP-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A ITO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V TrenchMOS

  • CUS02(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 20A 0.45V VFM