RS1BL RQG Цэнаўтварэнне (USD) [1653783шт шт]
- 1 pcs$0.02237
- Частка нумар:
- RS1BL RQG
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA. Rectifiers 1A, 100V, GP SMF FAST RECOVERY
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - JFET, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Тырыстары - SCR - Модулі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation RS1BL RQG. RS1BL RQG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
RS1BL RQG Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
RS1BL RQG
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
800mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.3V @ 800mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
150ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-219AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
Sub SMA
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BYT79B-600PJ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
-
SE20FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,200V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE20FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,200V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
-
UG58G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD. Rectifiers 20ns 5A 600V UlFst Recov Rectifier
Гарачыя часткі
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54