Частка нумар :
IRFD110PBF
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
1A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
8.3nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
180pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.3W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Пакет / футляр :
4-DIP (0.300", 7.62mm)