Microsemi Corporation - APT5518BFLLG

KEY Part #: K6413324

[13139шт шт]


    Частка нумар:
    APT5518BFLLG
    Вытворца:
    Microsemi Corporation
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 550V 31A TO-247.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT5518BFLLG. APT5518BFLLG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT5518BFLLG Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : APT5518BFLLG
    Вытворца : Microsemi Corporation
    Апісанне : MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
    Серыя : POWER MOS 7®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 550V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 31A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 15.5A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 67nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3286pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 403W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247-3
    Пакет / футляр : TO-247-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.

    • FQD4P25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

    • FQD4N25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.