Taiwan Semiconductor Corporation - RS1JLHMTG

KEY Part #: K6437533

RS1JLHMTG Цэнаўтварэнне (USD) [2000457шт шт]

  • 1 pcs$0.01849

Частка нумар:
RS1JLHMTG
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLHMTG. RS1JLHMTG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1JLHMTG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RS1JLHMTG
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 800mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 800mA
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 250ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-219AB
Пакет прылад пастаўшчыка : Sub SMA
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • MBRB1635-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 35 Volt 16A Single 150 Amp IFSM