Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3BHE3_A/I

KEY Part #: K6457012

ES3BHE3_A/I Цэнаўтварэнне (USD) [300905шт шт]

  • 1 pcs$0.12292
  • 3,500 pcs$0.11140

Частка нумар:
ES3BHE3_A/I
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 100 Volt 3.0A 20ns Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division ES3BHE3_A/I. ES3BHE3_A/I можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3BHE3_A/I Атрыбуты прадукту

Частка нумар : ES3BHE3_A/I
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 900mV @ 3A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 30ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AB, SMC
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AB (SMC)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED