IXYS - IXFP56N30X3

KEY Part #: K6399022

IXFP56N30X3 Цэнаўтварэнне (USD) [14343шт шт]

  • 1 pcs$2.87336

Частка нумар:
IXFP56N30X3
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFP56N30X3. IXFP56N30X3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP56N30X3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFP56N30X3
Вытворца : IXYS
Апісанне : 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 300V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 56A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3.75nF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 320W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TK17A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS.

  • IRFIBE20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP.