Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы
  5. ALD110908SAL

Advanced Linear Devices Inc. - ALD110908SAL

KEY Part #: K6521932

ALD110908SAL Цэнаўтварэнне (USD) [33519шт шт]

  • 1 pcs$1.22955
  • 50 pcs$0.97551
Частка нумар:
ALD110908SAL
Вытворца:
Advanced Linear Devices Inc.
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Advanced Linear Devices Inc. ALD110908SAL. ALD110908SAL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD110908SAL Атрыбуты прадукту

Частка нумар : ALD110908SAL
Вытворца : Advanced Linear Devices Inc.
Апісанне : MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Серыя : EPAD®
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 10.6V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 4.8V
Vgs (й) (Max) @ Id : 820mV @ 1µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Магутнасць - Макс : 500mW
Працоўная тэмпература : 0°C ~ 70°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOIC

Апошнія навіны

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MMBF5434

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23.

  • MMBFJ175

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 30V 0.225W SOT23.

  • BSR58

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23.

  • MMBFJ271

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 30V 0.225W SOT23.

  • SI4808DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.

  • SI4276DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

Гарачыя часткі