Частка нумар :
DF11MR12W1M1B11BPSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET MOD 1200V 50A
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET :
Silicon Carbide (SiC)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
1200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22.5 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (й) (Max) @ Id :
5.55V @ 20mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
124nC @ 15V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
3680pF @ 800V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
AG-EASY1BM-2