Diodes Incorporated - DMN63D8LW-7

KEY Part #: K6418663

DMN63D8LW-7 Цэнаўтварэнне (USD) [2015113шт шт]

  • 1 pcs$0.01836
  • 3,000 pcs$0.01701

Частка нумар:
DMN63D8LW-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN63D8LW-7. DMN63D8LW-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN63D8LW-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN63D8LW-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 380mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 0.9nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 23.2pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-323
Пакет / футляр : SC-70, SOT-323

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.