Частка нумар :
SIDR680DP-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 80V
Серыя :
TrenchFET® Gen IV
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
32.8A (Ta), 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
105nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
5150pF @ 40V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® SO-8DC
Пакет / футляр :
PowerPAK® SO-8