Частка нумар :
SQJ962EP-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET :
Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
14nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
475pF @ 25V
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
PowerPAK® SO-8 Dual
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® SO-8 Dual