Nexperia USA Inc. - BSH111BKR

KEY Part #: K6419572

BSH111BKR Цэнаўтварэнне (USD) [1579220шт шт]

  • 1 pcs$0.02342
  • 3,000 pcs$0.02131

Частка нумар:
BSH111BKR
Вытворца:
Nexperia USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 55V SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. BSH111BKR. BSH111BKR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSH111BKR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSH111BKR
Вытворца : Nexperia USA Inc.
Апісанне : MOSFET N-CH 55V SOT-23
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 55V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 210mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 0.5nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 30pF @ 30V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 302mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-236AB
Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў