Microsemi Corporation - APTGF90DH60T3G

KEY Part #: K6533731

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Тырыстары - SCR ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTGF90DH60T3G. APTGF90DH60T3G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : APTGF90DH60T3G

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Тып IGBT : NPT

Канфігурацыя : Asymmetrical Bridge

Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V

Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 110A

Магутнасць - Макс : 416W

Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 100A

Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 250µA

Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 4.3nF @ 25V

Увод : Standard

NTC-цеплавізатар : Yes

Працоўная тэмпература : -

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : SP3

Пакет прылад пастаўшчыка : SP3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT180DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V SOT-227.
VS-GT80DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.
VS-GT100DA120UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.
VS-GA200SA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 200A 500W SOT-227.
STGE200N60K

STMicroelectronics

IGBT N-CH 150A 600V ISOTOP.

Гарачыя часткі