Vishay Semiconductor Diodes Division - BYW84-TAP

KEY Part #: K6440207

BYW84-TAP Цэнаўтварэнне (USD) [247410шт шт]

  • 1 pcs$0.15025
  • 12,500 pcs$0.14950

Частка нумар:
BYW84-TAP
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64. Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 100 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BYW84-TAP. BYW84-TAP можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYW84-TAP Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BYW84-TAP
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 3A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 7.5µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : SOD-64, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : SOD-64
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FDHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier