Texas Instruments - CSD19532Q5BT

KEY Part #: K6396542

CSD19532Q5BT Цэнаўтварэнне (USD) [54245шт шт]

  • 1 pcs$0.76096
  • 250 pcs$0.75718
  • 1,250 pcs$0.51568

Частка нумар:
CSD19532Q5BT
Вытворца:
Texas Instruments
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 100A VSON.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Texas Instruments CSD19532Q5BT. CSD19532Q5BT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19532Q5BT Атрыбуты прадукту

Частка нумар : CSD19532Q5BT
Вытворца : Texas Instruments
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 100A VSON
Серыя : NexFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 100A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4810pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-VSON-CLIP (5x6)
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.