Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
8.9A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1877pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.5W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)