Vishay Siliconix - IRFZ48RSPBF

KEY Part #: K6399054

IRFZ48RSPBF Цэнаўтварэнне (USD) [23380шт шт]

  • 1 pcs$1.76280
  • 1,000 pcs$0.83639

Частка нумар:
IRFZ48RSPBF
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - JFET, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRFZ48RSPBF. IRFZ48RSPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFZ48RSPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFZ48RSPBF
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 50A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2400pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 190W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263 (D2Pak)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • IRFI9520GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP.

  • IRLI640GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP.