Infineon Technologies - IRFP3006PBF

KEY Part #: K6399489

IRFP3006PBF Цэнаўтварэнне (USD) [14083шт шт]

  • 1 pcs$2.81167
  • 10 pcs$2.50891
  • 100 pcs$2.05723
  • 500 pcs$1.66585
  • 1,000 pcs$1.40493

Частка нумар:
IRFP3006PBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 257A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRFP3006PBF. IRFP3006PBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP3006PBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFP3006PBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 257A TO247
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 195A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 8970pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 375W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AC
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.