Rohm Semiconductor - RFUH30TS6SGC11

KEY Part #: K6441552

RFUH30TS6SGC11 Цэнаўтварэнне (USD) [25621шт шт]

  • 1 pcs$1.76721
  • 10 pcs$1.57859
  • 25 pcs$1.42082
  • 100 pcs$1.29460
  • 250 pcs$1.10838
  • 500 pcs$0.99455
  • 1,000 pcs$0.83878
  • 2,500 pcs$0.79684

Частка нумар:
RFUH30TS6SGC11
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 15A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 30A Io Recovery Diode
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RFUH30TS6SGC11. RFUH30TS6SGC11 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFUH30TS6SGC11 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RFUH30TS6SGC11
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 15A TO247
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 15A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 2.8V @ 30A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-247-3
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247
Працоўная тэмпература - развязка : 150°C (Max)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • VS-E4PH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L