Vishay Siliconix - SQJ443EP-T1_GE3

KEY Part #: K6420025

SQJ443EP-T1_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [152759шт шт]

  • 1 pcs$0.24213
  • 3,000 pcs$0.20465

Частка нумар:
SQJ443EP-T1_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_GE3. SQJ443EP-T1_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ443EP-T1_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQJ443EP-T1_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 40A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2030pF @ 20V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 83W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TA)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр : PowerPAK® SO-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў