Infineon Technologies - BSL305SPEH6327XTSA1

KEY Part #: K6421313

BSL305SPEH6327XTSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [438799шт шт]

  • 1 pcs$0.08429
  • 3,000 pcs$0.07734

Частка нумар:
BSL305SPEH6327XTSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSL305SPEH6327XTSA1. BSL305SPEH6327XTSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSL305SPEH6327XTSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSL305SPEH6327XTSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5.3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 939pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TSOP-6-6
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў