Частка нумар :
TPH6R30ANL,L1Q
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
66A (Ta), 45A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
55nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
4300pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.5W (Ta), 54W (Tc)
Працоўная тэмпература :
150°C
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOP Advance (5x5)
Пакет / футляр :
8-PowerVDFN