Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60NB099CZ C0G

KEY Part #: K6399379

TSM60NB099CZ C0G Цэнаўтварэнне (USD) [14168шт шт]

  • 1 pcs$2.90862

Частка нумар:
TSM60NB099CZ C0G
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CZ C0G. TSM60NB099CZ C0G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60NB099CZ C0G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TSM60NB099CZ C0G
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 38A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2587pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 298W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.