Vishay Siliconix - SIA436DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6405147

SIA436DJ-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [366462шт шт]

  • 1 pcs$0.10144
  • 3,000 pcs$0.10093

Частка нумар:
SIA436DJ-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIA436DJ-T1-GE3. SIA436DJ-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA436DJ-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIA436DJ-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 8V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 25.2nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1508pF @ 4V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SC-70-6 Single
Пакет / футляр : PowerPAK® SC-70-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў