Частка нумар :
SSM3J35CT,L3F
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
100mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
-
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
12.2pF @ 3V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
100mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
150°C
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
CST3
Пакет / футляр :
SC-101, SOT-883