Vishay Siliconix - SISS46DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396161

SISS46DN-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [118007шт шт]

  • 1 pcs$0.31343

Частка нумар:
SISS46DN-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - TRIAC and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SISS46DN-T1-GE3. SISS46DN-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS46DN-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SISS46DN-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S
Серыя : TrenchFET® Gen IV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2140pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8S
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8S

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • SSN1N45BTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG9N65CT

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.