Vishay Siliconix - SI7892BDP-T1-E3

KEY Part #: K6395930

SI7892BDP-T1-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [116699шт шт]

  • 1 pcs$0.75258
  • 10 pcs$0.66812
  • 100 pcs$0.52806
  • 500 pcs$0.40952
  • 1,000 pcs$0.30583

Частка нумар:
SI7892BDP-T1-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Модулі драйвераў харчавання and Тырыстары - SCR ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI7892BDP-T1-E3. SI7892BDP-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7892BDP-T1-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI7892BDP-T1-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 15A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 40nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3775pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.8W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр : PowerPAK® SO-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў