Vishay Siliconix - SI3433CDV-T1-E3

KEY Part #: K6421342

SI3433CDV-T1-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [471021шт шт]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

Частка нумар:
SI3433CDV-T1-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI3433CDV-T1-E3. SI3433CDV-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3433CDV-T1-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI3433CDV-T1-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 45nC @ 8V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1300pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 6-TSOP
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў