Vishay Siliconix - SIB452DK-T1-GE3

KEY Part #: K6416936

SIB452DK-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [275873шт шт]

  • 1 pcs$0.13407
  • 3,000 pcs$0.12616

Частка нумар:
SIB452DK-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIB452DK-T1-GE3. SIB452DK-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB452DK-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIB452DK-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 190V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±16V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 135pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SC-75-6L Single
Пакет / футляр : PowerPAK® SC-75-6L

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.