Nexperia USA Inc. - BUK965R4-40E,118

KEY Part #: K6399324

BUK965R4-40E,118 Цэнаўтварэнне (USD) [130553шт шт]

  • 1 pcs$0.28473
  • 800 pcs$0.28331

Частка нумар:
BUK965R4-40E,118
Вытворца:
Nexperia USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - Модулі and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. BUK965R4-40E,118. BUK965R4-40E,118 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK965R4-40E,118 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BUK965R4-40E,118
Вытворца : Nexperia USA Inc.
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 75A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 33.9nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4483pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 137W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFI614GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP.