Vishay Siliconix - SIE818DF-T1-GE3

KEY Part #: K6417879

SIE818DF-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [44701шт шт]

  • 1 pcs$0.87908
  • 3,000 pcs$0.87470

Частка нумар:
SIE818DF-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIE818DF-T1-GE3. SIE818DF-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIE818DF-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIE818DF-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 75V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 60A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3200pF @ 38V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 10-PolarPAK® (L)
Пакет / футляр : 10-PolarPAK® (L)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.