Частка нумар :
APTGT50DH60T1G
Вытворца :
Microsemi Corporation
Апісанне :
MOD IGBT 600V 80A SP1
Тып IGBT :
Trench Field Stop
Канфігурацыя :
Asymmetrical Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
80A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
250µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SP1