Vishay Siliconix - SIR180DP-T1-RE3

KEY Part #: K6396184

SIR180DP-T1-RE3 Цэнаўтварэнне (USD) [101643шт шт]

  • 1 pcs$0.38469

Частка нумар:
SIR180DP-T1-RE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - JFET and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIR180DP-T1-RE3. SIR180DP-T1-RE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR180DP-T1-RE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIR180DP-T1-RE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
Серыя : TrenchFET® Gen IV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 32.4A (Ta), 60A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4030pF @ 30V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр : PowerPAK® SO-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.

  • FDN357N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.

  • NDS0605

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23.