Vishay Siliconix - SI7113DN-T1-GE3

KEY Part #: K6417959

SI7113DN-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [118801шт шт]

  • 1 pcs$0.31134
  • 3,000 pcs$0.29235

Частка нумар:
SI7113DN-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI7113DN-T1-GE3. SI7113DN-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7113DN-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI7113DN-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 13.2A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 134 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1480pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Працоўная тэмпература : -50°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.