Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
16A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
56nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
3888pF @ 15V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.5W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOIC
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)