Infineon Technologies - BSZ097N04LSGATMA1

KEY Part #: K6416958

BSZ097N04LSGATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [273814шт шт]

  • 1 pcs$0.13508

Частка нумар:
BSZ097N04LSGATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - SCR, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSZ097N04LSGATMA1. BSZ097N04LSGATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ097N04LSGATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSZ097N04LSGATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Ta), 40A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 14µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1900pF @ 20V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TSDSON-8
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.