Частка нумар :
SSM6N56FE,LM
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET :
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
1nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
55pF @ 10V
Магутнасць - Макс :
150mW
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
SOT-563, SOT-666
Пакет прылад пастаўшчыка :
ES6