Diodes Incorporated - DMJ70H1D3SJ3

KEY Part #: K6392941

DMJ70H1D3SJ3 Цэнаўтварэнне (USD) [98319шт шт]

  • 1 pcs$0.39770
  • 75 pcs$0.37345

Частка нумар:
DMJ70H1D3SJ3
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH TO251.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMJ70H1D3SJ3. DMJ70H1D3SJ3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMJ70H1D3SJ3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMJ70H1D3SJ3
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH TO251
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 700V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 13.9nC @ 10V
Vgs (макс.) : -
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 351pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 41W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 155°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-251
Пакет / футляр : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў