Vishay Siliconix - SUD35N10-26P-GE3

KEY Part #: K6393692

SUD35N10-26P-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [84291шт шт]

  • 1 pcs$0.46388
  • 2,000 pcs$0.43461

Частка нумар:
SUD35N10-26P-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SUD35N10-26P-GE3. SUD35N10-26P-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD35N10-26P-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SUD35N10-26P-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 35A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2000pF @ 12V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252, (D-Pak)
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.