Частка нумар :
DMN3200U-7
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2.2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
-
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
290pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
650mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-23-3
Пакет / футляр :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3