Microchip Technology - 2N6660

KEY Part #: K6398365

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microchip Technology 2N6660. 2N6660 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 2N6660

Вытворца : Microchip Technology

Апісанне : MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып FET : N-Channel

Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 410mA (Ta)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -

Vgs (макс.) : ±20V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 50pF @ 24V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : 6.25W (Tc)

Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Through Hole

Пакет прылад пастаўшчыка : TO-39

Пакет / футляр : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

TN2640N3-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.
FDD8444L-F085

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.
IRLR3705ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
IXTY44N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.
IRFIB5N65APBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP.
TK290A60Y,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS.