Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
  5. FQI9N25CTU

ON Semiconductor - FQI9N25CTU

KEY Part #: K6413594

[13046шт шт]

    Частка нумар:
    FQI9N25CTU
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FQI9N25CTU. FQI9N25CTU можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQI9N25CTU Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FQI9N25CTU
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
    Серыя : QFET®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 250V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 8.8A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 4.4A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 710pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.13W (Ta), 74W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : I2PAK (TO-262)
    Пакет / футляр : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Апошнія навіны

    ON Semiconductor NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET
    ON Semiconductor LV8549MCGEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor NVMFD6H852NL 80V 25A Automotive Power MOSFET
    ON Semiconductor FSA515 Depletion Switch
    ON Semiconductor LV8824QAGEVK Evaluation Kit
    ON Semiconductor NVTFS010N10MCL 100V 53A Automotive Power MOSFET
    ON Semiconductor FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET
    ON Semiconductor FSB50250B & FSB50250BS Motion SPM® 5 Modules
    ON Semiconductor LV8316H Single-Phase Motor Driver
    ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
    ON Semiconductor NCL2801LED1GEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor FSL538AFLYGEVB Evaluation Board
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • ZVNL110ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4306ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4306ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    Гарачыя часткі