IXYS - IXFA38N30X3

KEY Part #: K6397607

IXFA38N30X3 Цэнаўтварэнне (USD) [21548шт шт]

  • 1 pcs$1.91264

Частка нумар:
IXFA38N30X3
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
FET N-CHANNEL.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - Модулі and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFA38N30X3. IXFA38N30X3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA38N30X3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFA38N30X3
Вытворца : IXYS
Апісанне : FET N-CHANNEL
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 300V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 38A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2240pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 240W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.