Microsemi Corporation - JANS1N5806

KEY Part #: K6447651

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANS1N5806. JANS1N5806 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : JANS1N5806

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Серыя : Military, MIL-PRF-19500/477

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 150V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 875mV @ 1A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 25ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 150V

Ёмістасць @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : A, Axial

Пакет прылад пастаўшчыка : -

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

RURD660S9A-F085

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V
RURD660S9A-F085P

ON Semiconductor

UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes
FFSD08120A

ON Semiconductor

1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD
RURD460S9A

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V
1PS193,115

NXP USA Inc.

DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.
1PS193,135

NXP USA Inc.

DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.