Vishay Siliconix - SI2316BDS-T1-GE3

KEY Part #: K6419502

SI2316BDS-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [367832шт шт]

  • 1 pcs$0.10056
  • 3,000 pcs$0.09238

Частка нумар:
SI2316BDS-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR, Дыёды - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-GE3. SI2316BDS-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2316BDS-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI2316BDS-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 9.6nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 350pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў