Vishay Siliconix - SIE868DF-T1-GE3

KEY Part #: K6416225

SIE868DF-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [77749шт шт]

  • 1 pcs$0.50543
  • 3,000 pcs$0.50291

Частка нумар:
SIE868DF-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIE868DF-T1-GE3. SIE868DF-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIE868DF-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIE868DF-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 60A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6100pF @ 20V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 10-PolarPAK® (L)
Пакет / футляр : 10-PolarPAK® (L)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.