ON Semiconductor - NVMFS5C410NT1G

KEY Part #: K6402252

NVMFS5C410NT1G Цэнаўтварэнне (USD) [8796шт шт]

  • 1,500 pcs$0.47341

Частка нумар:
NVMFS5C410NT1G
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V SO8FL.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NVMFS5C410NT1G. NVMFS5C410NT1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C410NT1G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NVMFS5C410NT1G
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 40V SO8FL
Серыя : -
Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : -
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.92 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6100pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў